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文章描述了用低能电子衍射(LEED)观察氢离子对碳杂质稳定的Si(111)-(1×1)及清洁再构的Si(100)-(2×1)表面轰击,然后加热退火所产生的相变,实验发现:碳杂质稳定的Si(111)-(1×1)表面经氢离子轰击并在800℃退火后产生清洁再构的Si(111)-(7×7)结构;而Si(100)-(2×1)表面经离子氢及氟的混合气体轰击后,在900℃退火产生一个亚稳态Si(100)-c(4