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1纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法公开(公告)号:CN102610715A摘要:一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n—GaN层;步骤3:在n—GaN层上通过纳米技术制作CaN纳米线模板;步骤4:在CaN纳米线模板上生长GaN过渡层;步骤5:在GaN过渡层上生长InGaN量子盘;步骤6:在InGaN量子盘上生长n—GaN层,形成基片;步骤7:将基片一侧的部分刻蚀掉,刻蚀深度到达n—GaN层内,形成台面;步骤8:在n—GaN层的台面上制作下电极;步骤9:在n—GaN层上制作上电极,完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底,能很好地释放应力,从而降低Droon效应,增加LED的发光效率。