【摘 要】
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20GHz以上,当微带衬底材料的介电常数较低（εr=2.2）,而GaAs芯片的介电常数为12.9时,直接用50Ω微带互连会产生较大的反射。对微带芯片互联的失配形式进行了分析和研究,采用在微
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20GHz以上,当微带衬底材料的介电常数较低（εr=2.2）,而GaAs芯片的介电常数为12.9时,直接用50Ω微带互连会产生较大的反射。对微带芯片互联的失配形式进行了分析和研究,采用在微带与芯片间加一段高阻微带线的方法进行匹配互联,并针对于25-30GHz频率范围对高阻微带线宽度和长度进行仿真和优化。相对于直接互联,匹配互联的插入损耗减小了0.4dB左右,回波损耗减小了9dB以上。最后对直接互联和匹配互联分别进行实物加工装配,测试结果与仿真结果相吻合。
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