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利用射频反应溅射沉积方法在不同氧含量下以ＷＯ３／ＩＴＯ／Ｇｌａｓｓ为基体，制备了一系列厚度大于２０ｎｍ的ＴａＯｘ薄膜，并用Ａｒｎｏｌｄｕｓｓｅｎ方法检测离了民性能。
射频溅射沉积TaOx薄膜离子导体性能
【摘 要】
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利用射频反应溅射沉积方法在不同氧含量下以ＷＯ３／ＩＴＯ／Ｇｌａｓｓ为基体，制备了一系列厚度大于２０ｎｍ的ＴａＯｘ薄膜，并用Ａｒｎｏｌｄｕｓｓｅｎ方法检测离了民性能。
【机 构】
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清华大学电子工程系
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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1998年2期
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