DMOS阈值电压二维模型

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：patton

【摘要】

：

提出了DMOS器件的二维阈值电压模型，分析了耗尽层宽度的变化，并得到了模型的数学表达式．模型的解析解与实验结果和二维仿真器MEDICI的数值解相吻合．给出了沟道表面扩散浓度在2．0&#

【作者】

：

李泽宏张波李肇基方健杨舰

【机构】

：

电子科技大学微电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

double-diffusion MOSFET 阈值电压二维阈值电压模型 double-diffusion MOSFETthreshold voltage2D

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提出了DMOS器件的二维阈值电压模型，分析了耗尽层宽度的变化，并得到了模型的数学表达式．模型的解析解与实验结果和二维仿真器MEDICI的数值解相吻合．给出了沟道表面扩散浓度在2．0×10^16～10．0×10^16cm^-3范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式．该模型的提出解决了以往所用的DMOS阈值电压模型计算很不准确的问题．

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