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Gd1—xMnxTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kllkll123456
【摘 要】
：
在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１，０．２，０．３，０．４，０．４５，０．５，０．６，０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律，用单振子模型拟合实验结果，给出激子能量随组分和温度的变化规律，本文还讨论了锰离子
【作 者】
：
王学忠 马可军 W.Giriat 陈辰嘉 王荣明 阎志成 
【机 构】
：
北京大学物理系,中国科学院上海技术物理研究所,3
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
1994年5期
【关键词】
：
法拉第效应 半磁半导体 半导体材料 
【基金项目】
：
国家自然科学基金
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在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１，０．２，０．３，０．４，０．４５，０．５，０．６，０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律，用单振子模型拟合实验结果，给出激子能量随组分和温度的变化规律，本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响。
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