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介绍了一种ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积A1N薄膜的新方法,在ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀A1靶,以低于80℃的衬底温度在Si衬底上沉积了A1N薄膜,结合样品表征和等离子体光谱分析,探讨了膜层沉积的机理,等离子体中活性氮物质的存在是Al-N化合的重要因素,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成。