【摘 要】
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运用双指数函数模型方法分析了影响MESFET的TiPtAu-GaAs肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系。编制了MESFET肖特基势垒结结参数提取和I－V曲线拟合软件，实现了通过栅源
【机 构】
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中国电子产品可靠性与环境试验研究所
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运用双指数函数模型方法分析了影响MESFET的TiPtAu-GaAs肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系。编制了MESFET肖特基势垒结结参数提取和I－V曲线拟合软件，实现了通过栅源正向I－V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个结参数和得到相应结参数下的理论数据，与实验数据吻合良好。分析了影响肖特基势垒结I－V曲线分布的因素，提出了进行器件特性、参数稳定性与可靠性研究和定量分析MESFET肖特基势垒结质量的新方法。
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