ZnCdSe相关论文
采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复......
在７７－３００Ｋ温度下研究了Ｚｎ（１－ｘ）ＣｄｘＳｅ－ＺｎＳｅ多量子阱（ＭＱＷｓ）的光致发光特性．首次在７７Ｋ，Ａｒ离子激光器的４５７．９ｎｍ激发下，在Ｚｎ（０．６８）Ｃｄ（０．３２）Ｓｅ－ＺｎｓｅＭＱＷｓ中观测到５个发光带，其中三个发光带被归因于不同的激子发射：即ｎ＝１重空......
纳米材科的研究是目前材料科学研究的一个热点，纳米科技被共认为是21世纪最具有前途的科研领域。纳米尺度(1-100nm)物体的性质由于......
We have developed a simple one-step process for synthesis of ternary quantum dots(ZnCdSe,MgCdSe) with photoluminescence ......
用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在晶格失配较小的情况下制备了ZnCdSe量子点,并用原子力显微镜(AFM)和极低温度下的发光光谱......
期刊
用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在晶格失配较小的情况下制备了ZnCdSe量子点,并用原子力显微镜(AFM)和极低温度下的发光光谱......
用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在晶格失配较小的情况下制备了ZnCdSe量子点,并用原子力显微镜(AFM)和极低温度下的发光光谱......
用飞砂泵浦－测量子ＺｎＣｄＳｅ量子阱／ＺｎＳｅ／ＣｄＳｅ量子点复合结构样品的透射特性。样品中ＺｎＳｅ叠层厚度为１５ｎｍ，泵浦－探测结果得到上升沿时间为３６７±６０ｆｓ，下降沿时间为１．３±......
本文简要叙述了运用ＭＢＥ技术成功生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的一些工艺和渗数，并对不同的样品进行了ＳＩＭＳ和ＡＥＳ的测试，首次测得了这种材料的元素分布，结果显示ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超......
利用应力释放模型计算了ZnCdSe/GaAs间的临界厚度，并以该临界厚度为基础，用MOVCD设备在Stranski-Krastanow(S-K)生长模式下，外延生长......
本文对ＺｎＣｄＳｅ单量子阱中点缺陷附近在辐射载子复合而激活的点缺陷反应作了研究，样品在不同温度下对荧光光谱随时间变化的测量表明，这种反应......
