【摘 要】
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建立了SrO/GaN（0001）2×2表面吸附模型,采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法对SrO分子的吸附生长进行了计算,详细研究了SrO分子在表面的吸附位置、吸附能
【机 构】
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四川师范大学物理与电子工程学院,四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室
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建立了SrO/GaN（0001）2×2表面吸附模型,采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法对SrO分子的吸附生长进行了计算,详细研究了SrO分子在表面的吸附位置、吸附能及表面化学键特性。计算发现,SrO分子在GaN（0001）表面吸附不会发生分解,最稳定吸附位为Ga桥位,吸附能达到7.257～7.264 eV。通过电荷布居数和态密度分析,SrO分子吸附后O与表面的一个Ga原子形成的化学键表现出共价键特征,电子由SrO转移给表面部分Ga原子,GaN（0001）仍存在表面态。
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