GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:txl8909
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本文叙述了用CCD系统对MBE生长中RHEED图案强度变化进行实时监测,通过(00)级条纹的RHEED强度分析,直接给出了不同生长条件下表面相变的动态过程,得到了从C(4×4)到α(2×4)的连续相变过程,进一步给出了不同条件下的表面化学配比情况。
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