真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究

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采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧(In—Ga—Zn-O)透明导电薄膜,并对该薄膜进行了真空退火。研究了不同退火温度对In-Ga—Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射(XRD)表明,在300℃至500℃退火温度范围内,In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构。随着退火温度的增加,薄膜的电阻率先减小后增大。透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500—800nm可见光区平均透过率超过80%,且在350nm附近表现出较强的紫外吸收特性。经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增
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