ZnSe-ZnS多量子阱中激子动力学及受激发射

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【摘要】

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本文讨论了在ＺｎＳｅ薄膜材料及ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱中宽阱材料和窄阱材料的激子弛豫过程和在窄阱材料中激子受激发射 In this paper, we discuss the exciton relaxation processes of wide-w

【作者】

：

赵福潭苏锡安王淑梅陈进军范希武

【机构】

：

中国科学院激发态物理开放实验室,贵州省电子产品检测中心

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

1997年01期

【关键词】

：

ZnSe-ZnS 多量子阱受激发射激子子动力学薄膜材料弛豫过程超短脉冲激光输出样品室

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本文讨论了在ＺｎＳｅ薄膜材料及ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱中宽阱材料和窄阱材料的激子弛豫过程和在窄阱材料中激子受激发射 In this paper, we discuss the exciton relaxation processes of wide-well and narrow-well materials in ZnSe thin films and ZnSe-ZnS multi-quantum wells and exciton-stimulated emission in narrow-well materials

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