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本文讨论了在ZnSe薄膜材料及ZnSe-ZnS多量子阱中宽阱材料和窄阱材料的激子弛豫过程和在窄阱材料中激子受激发射
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本文报道一种鉴别ZnSe-ZnS应变超晶格质量的方法——低密度激发下的光致发光.文中讨论了ZnSe-ZnS应变超晶格的深中心发射是否受到......
利用常压MOCVD系统在透明衬底CaF2上生长了ZnSe-ZnS应变超晶格,研究了低密度激发下该结构在不同温度下的光学性质,对光谱中出现的多个发光体进行了分析......