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对于采用不同结构实现的数字电路设计,如何评价这些结构的优劣,从而选择最好的设计方式,已成为设计过程的关键。本文通过对基本器件的分析,建立了MOS晶体管的简单电学参数模型,提出了互补逻辑的最小设计及评价方法,得到了器件扇入与逻辑面积、输入/输出电容、延迟时间、功耗之间的关系,以满足不同层次电路设计的需求。