【摘 要】
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已经设计和制造了采用亚微米栅FET、大电容比变容二极管、MIM电容器、微带线电感器、电阻器和空气桥互连在单一GaAs芯片的单片GaAsFETVCO。给出了这些元件的设计考虑和制造技
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已经设计和制造了采用亚微米栅FET、大电容比变容二极管、MIM电容器、微带线电感器、电阻器和空气桥互连在单一GaAs芯片的单片GaAsFETVCO。给出了这些元件的设计考虑和制造技术。
Monolithic GaAsFETVCOs have been designed and fabricated with a single GaAs chip interconnected by submicron gate FETs, large capacitance ratio varactors, MIM capacitors, microstrip line inductors, resistors and air bridges. The design considerations and manufacturing techniques for these components are given.
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