薄膜硅光伏组件的漏电通道模型及绝缘电阻的定量测试

来源 :仪器仪表学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:squallleo2009
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为了研究薄膜硅光伏组件在高电压下的绝缘失效机制,建立了一个薄膜硅组件的漏电通道模型,并定量测试组件在湿热(dampheat,DH)实验前后各漏电通道的绝缘电阻,采用了独特的措施来避免各漏电通道之间的相互干扰,获得了较准确的结果。在DH实验之前,组件边缘的绝缘电阻比前后玻璃高20倍至2个数量级,前后玻璃处的漏电决定了组件绝缘性能。经过1000h的DH实验之后,边缘绝缘电阻大幅下降约2个数量级,成为小面积(300mm×300mm)组件绝缘性能的决定性因素,但是在大面积(1300mm×110
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