【摘 要】
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文章描述了MOSFET和IGBT关断特性的不同,及其对关断瞬间并联均流特性的影响.MOSFET和IGBT共有的MOS门极结构导致其在器件开通过程具备相似的开通特性.然而,MOSFET单极性结构和IGBT双极性结构的不同导致了其在关断过程中具备不同的关断原理(除了拖尾电流之外),这种不同的关断原理尤其表现在门极电压对关断电流的控制程度.MOSFET的关断电流完全直接受控于门极电压,而IGBT的关断电流在某种程度上不完全直接受控于门极电压.不同的关断原理进而导致了关断瞬间不同的并联均流特性,尤其是在电路参数不
【机 构】
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合肥工业大学电气及自动化学院,安徽合肥230009;株洲中车时代电气股份有限公司,湖南株洲412001;新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲 412001
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文章描述了MOSFET和IGBT关断特性的不同,及其对关断瞬间并联均流特性的影响.MOSFET和IGBT共有的MOS门极结构导致其在器件开通过程具备相似的开通特性.然而,MOSFET单极性结构和IGBT双极性结构的不同导致了其在关断过程中具备不同的关断原理(除了拖尾电流之外),这种不同的关断原理尤其表现在门极电压对关断电流的控制程度.MOSFET的关断电流完全直接受控于门极电压,而IGBT的关断电流在某种程度上不完全直接受控于门极电压.不同的关断原理进而导致了关断瞬间不同的并联均流特性,尤其是在电路参数不匹配的情况下的并联关断均流特性.文章通过理论分析和仿真建模对上述问题进行了研究,仿真和试验结果验证了所提的观点.
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