【摘 要】
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针对SiC芯片高工作结温、高功率密度和低杂散电感的封装技术要求,设计了一款双面散热SiC模块,仿真其杂散电感和均流性能,模块具有较低电感和较好的均流性.开发了全银烧结工艺和工艺流程,并试制了科研样品.通过动静态测试,在漏源极电流Id为350 A和比导通电阻RDS-on为3.95 m Ω下,计算出包含测试电路的总电感Ls为11.2 nH,模块具有较好的静动态性能.试验表明,全银烧结双面散热SiC模块具有优良的动静态性能,具有较大的应用前景.
【机 构】
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湖南国芯半导体科技有限公司,湖南株洲412001;湖南省功率半导体创新中心,湖南株洲 412001;武汉恩硕科技有限公司,湖北武汉430000
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针对SiC芯片高工作结温、高功率密度和低杂散电感的封装技术要求,设计了一款双面散热SiC模块,仿真其杂散电感和均流性能,模块具有较低电感和较好的均流性.开发了全银烧结工艺和工艺流程,并试制了科研样品.通过动静态测试,在漏源极电流Id为350 A和比导通电阻RDS-on为3.95 m Ω下,计算出包含测试电路的总电感Ls为11.2 nH,模块具有较好的静动态性能.试验表明,全银烧结双面散热SiC模块具有优良的动静态性能,具有较大的应用前景.
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