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文章对10nm和20nm两种厚度的ZrO2介质金属-绝缘体-金属（MIM）电容器在退火条件为420℃下（在N2/H2气氛中退火5min）前后的性能作了对比研究。结果表明，退火后电容密度增加，对于10nm和20nm两种厚度的电容器，电容密度分别增加了33％和31％，同时漏电流密度降低近一个数量级，这是因为退火能消除介质层中的氧缺陷和其他杂质，而使漏电流减小。