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本文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率,高输出功率的有效途径,并优化了器件结构,可以同时获得低的腔面乐功率密度和小的垂直于结平面远场发散角。利用分子束外延生长构成了高质量InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,其最高光功率转换率为53%,最大输出功率为3.7W,垂直于结平面方向远场发散角为30°。