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提出了利用测量平面型场限环结构硅半导体器件的环电位，并结合计算机数值模拟，定量计算各种保护材料的带电电性和电荷量值的新方法。给出了用此方法求得几种常用保护材料的带电电性和电荷量值。
一种测量平面型硅器件界面电荷密度的新方法
【摘 要】
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提出了利用测量平面型场限环结构硅半导体器件的环电位，并结合计算机数值模拟，定量计算各种保护材料的带电电性和电荷量值的新方法。给出了用此方法求得几种常用保护材料的带电
【机 构】
：
西安交通大学
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
：
1995年3期
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