【摘 要】
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为了系统深入地研究MoS2的电子能带结构和光电性质,基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算和分析了材料MoS2的电子结构及其光学性质,给出了MoS2的能带结构、光吸
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(11564019,11147158);江西省教育厅科研课题(GJJ170654)
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为了系统深入地研究MoS2的电子能带结构和光电性质,基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算和分析了材料MoS2的电子结构及其光学性质,给出了MoS2的能带结构、光吸收谱、电子态密度、能量损失谱、反射谱、介电函数谱等光学性质。计算结果表明:体材料MoS2的电子跃迁形式是非垂直跃迁,具有间接带隙的半导体材料,带隙宽为1.126eV;价带和导带的形成是由Mo和S的价电子起作用产生的。通过分析其光学性质,发现MoS2的介电函数的实部和虚部的峰值都出现在低能区,当光子能量的升高,介电函数值会缓慢降低;材料
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