全单片高增益低噪声放大器

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dcqnj
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单片低噪声放大器由于体积小、重量轻、可靠性高,已广泛地用于卫星通信和电子系统.放大器的噪声和功率增益是接收机灵敏度的决定因素,因此在设计放大器时,首先要考虑这两个指标.但由于条件限制,工艺的偏差和元器件模型的不准确给设计和制造全单片低噪声放大器带来了困难.针对这些问题,采取了一些措施.电路设计前进行了大量准备,如小信号模型的建立,S参数和噪声参数的提取等.电路设计中针对GaAs Foundry的实际情况,运用了CAD技术,研制出了全单片高增益低噪声放大器.放大器由4级级联而成,所有电路元器件(包括直流偏置
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