16．5—20GHz PHEMT单片功率放大器

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zkry123

【摘要】

：

采用南京电子器件研究所的φ76 mm GaAs的PHEMT单片技术,进行了16.5～20 GHz的PHEMT MMIC的设计与研制.其中PHEMT器件选用双平面掺杂A1GaAs/InGaAs/GaAs PHEMT异质结结构,0.5μ

【作者】

：

陈新宇蒋幼泉黄念宁陈效建

【机构】

：

南京电子器件研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2001年4期

【关键词】

：

功率放大器单片集成电路 PHEMT

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采用南京电子器件研究所的φ76 mm GaAs的PHEMT单片技术,进行了16.5～20 GHz的PHEMT MMIC的设计与研制.其中PHEMT器件选用双平面掺杂A1GaAs/InGaAs/GaAs PHEMT异质结结构,0.5μm栅长的φ76 nm GaAs工艺制作. 在MMIC设计中,准确的器件模型是设计Ku波段单片的关键.

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