AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展

来源 :电源学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ApexLiuNck

【摘要】

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氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿

【作者】

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康玄武郑英奎王鑫华黄森魏珂吴昊孙跃赵志波刘新

【机构】

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中国科学院微电子研究所

【出处】

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电源学报

【发表日期】

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2019年3期

【关键词】

：

氮化镓(GaN) ALGAN/GAN异质结肖特基二极管(SBD) gallium nitride(GaN)AlGaN/GaN heterojunctionSc

【基金项目】

：

国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000,2016YFB0400100),国家自然科学基金资助项目(61804172).

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氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统。总结了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管SBD(Schottky barrier diode)目前面临的问题以及目前AlGaN/GaN异质结SBD结构、工作原理及结构优化的研究进展。重点从AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基新结构

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