论文部分内容阅读
利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列，通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征，并对此微尖阵列进行了场发射性能测试。结果表明，选择液相外延法制备的GaAs微尖呈金字塔状，两对面夹角为71°；微尖高度由生长窗口的尺寸决定，对底边为60μm的微尖，其高度约为42μm。此微尖阵列排列规则，具有场发射特性，开启电场约为5．1V／μm。发射电流稳定，当电场由8．0V／μm增加到11．9V／μm，发射电流由6μA增到74μA，在发射时间超过3h的情况下．电流波动不超过3％。另外，GaAs微尖阵列场发射的