MOCVD AlGaAs／GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Vilmar

【摘要】

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分析了MOCVD AlGaAs/GaAs HBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P-N结界面产生偏离的原因,计算了外延生长参数对结偏离的影响,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时,使

【作者】

：

王向武李肖张岚黄子乾潘彬

【机构】

：

南京电子器件研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

异质结双极晶体管金属有机化合物气相淀积结偏位 HBT MOCVD deviation of junctions

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分析了MOCVD AlGaAs/GaAs HBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P-N结界面产生偏离的原因,计算了外延生长参数对结偏离的影响,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时,使得结偏位为0时所需生长的GaAs space层厚度,它们分别为1～1.5 nm、3～4 nm及12～15 nm.计算与器件研制结果基本相符.

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