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期刊论文
用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料
用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangtie123
【摘 要】
:
通过LP-MOVPE研制了实用化的AIGaAs/GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20~35,截止频率fr>50GHz,最大振荡频率fmax>60GHz,X波段功率HBT输出功率大
【作 者】
:
王向武
黄子乾
潘彬
李肖
张岚
【机 构】
:
南京电子器件研究所
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2005年2期
【关键词】
:
异质结双极晶体管
金属有机化合物气相淀积
四氯化碳掺杂
HBT
MOVPE
CCl_4 doping
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通过LP-MOVPE研制了实用化的AIGaAs/GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20~35,截止频率fr>50GHz,最大振荡频率fmax>60GHz,X波段功率HBT输出功率大于5W。
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