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以硅崩越二极管的高频化为目的,利用载流子扩散效应这一点,作出了有利的空穴漂移型二极管。二极管的杂质分布为p~+-p-n~+型结构,它是在n~-硅上用离子注入及热扩散形成n~+外延层。p~+-p-n~+型结构在衬底的一面具有p-n结,比起从前的n~+-p-p~+型来说,在高频段有减小特别成问题的串联电阻的优点。二极管减薄到5～10微米,减小了串联电阻。这种p~+-p-n~+二极管观测到从70千兆赫到400千兆赫左右的带宽的连续振荡。具有代表性的特性是在187千兆赫下输出82毫瓦、效率2.5％和在285千兆赫