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报告了4H-SiC MESFET的研制.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制成单栅宽120 μm n沟道4H-SiC MESFET,其主要直流特性为:在Vds＝30 V时,最大漏电流密度Idss为56 mA/mm,最大跨导Gm为15 mS/mm;漏源击穿电压最高达150 V;微波特性测试结果:在fo＝1 GHz、Vds＝32 V时该器件最大输出功率7.05 mW,在fo＝1.8 GHz、Vds＝32 V时最大输出功率3.1 mW.