【摘 要】
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碳热还原/氮化合成Si3N4在1 300~1 600℃下N2或N2-H2混合气中进行。反应物由非晶Si O2与C粉以1∶4.5摩尔比混合、压片。产生的CO由红外传感器监测,样品中氧、氮、碳含量由LEC
【机 构】
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澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院; 澳大利亚卧龙岗大学机械材料与机电一体化学院; 澳大利亚维多利亚大学可持续发展与创新研究院;
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碳热还原/氮化合成Si3N4在1 300~1 600℃下N2或N2-H2混合气中进行。反应物由非晶Si O2与C粉以1∶4.5摩尔比混合、压片。产生的CO由红外传感器监测,样品中氧、氮、碳含量由LECO元素分析仪测得,混合物各相由X射线衍射(XRD)检测。Si O2还原反应在1 300℃以下开始,速率随温度升高增大;温度高于1 570℃时,速率因反应物表面被生成物覆盖降低。由于还原产物CO平衡分压差别小,选择生成Si3N4或Si C的临界温度不明显。碳热还原/氮化法合成氮化硅的原理需进一步探讨。
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