【摘 要】
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采用反应磁控溅射制备了高阻SnO2薄膜。利用X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、暗电导温度关系等方法研究了退火对薄膜的结构？光学和电学性质的影响。发现在510℃退火1h后,SnO2
【基金项目】
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国家“863”计划资助项目（2003AA513010）.
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采用反应磁控溅射制备了高阻SnO2薄膜。利用X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、暗电导温度关系等方法研究了退火对薄膜的结构？光学和电学性质的影响。发现在510℃退火1h后,SnO2薄膜从非晶态转变为四方相结构的多晶薄膜,光能隙在3.79 eV和3.92 eV之间,电阻率为8.5Ω·cm,电导激活能约为0.322 eV。研究结果表明,此方法制备的SnO2高阻膜适合作为过渡层应用于CdTe太阳电池中。
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