隔离技术对SOI PMOSFET中空穴迁移率的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：EchoChina

【摘要】

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在SIMOX和Smart—cut SOI衬底上采用LOCOS和MESA隔离技术制备了部分耗尽PMOSFET，虽然LOCOS隔离器件的阈值电压较小，但其跨导和空穴迁移率明显小于MESA隔离器件．模拟表明，LOCOS场

【作者】

：

赵洪辰海潮和韩郑生钱鹤

【机构】

：

中国科学院微电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

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2004年10期

【关键词】

：

LOCOS MESA 迁移率应力 LOCOS MESA mobility stress

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在SIMOX和Smart—cut SOI衬底上采用LOCOS和MESA隔离技术制备了部分耗尽PMOSFET，虽然LOCOS隔离器件的阈值电压较小，但其跨导和空穴迁移率明显小于MESA隔离器件．模拟表明，LOCOS场氧生长过程中，由于SiO2体积膨胀，在硅膜中形成较大的压应力，从而降低了空穴的迁移率．

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