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在SIMOX和Smart—cut SOI衬底上采用LOCOS和MESA隔离技术制备了部分耗尽PMOSFET,虽然LOCOS隔离器件的阈值电压较小,但其跨导和空穴迁移率明显小于MESA隔离器件.模拟表明,LOCOS场氧生长过程中,由于SiO2体积膨胀,在硅膜中形成较大的压应力,从而降低了空穴的迁移率.