【摘 要】
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本文报道 Hg Cd Te深能级的实验研究,对合金组分 x=0.21-0.28的Hg_(1-x)CdxTe光二极管作了测量.用P-N结电容随温度变化关系分析了陷阱激活能和密度.
This paper reports the
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所
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本文报道 Hg Cd Te深能级的实验研究,对合金组分 x=0.21-0.28的Hg_(1-x)CdxTe光二极管作了测量.用P-N结电容随温度变化关系分析了陷阱激活能和密度.
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