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采用Sol—Gel法和层层快速退火工艺,通过控制甩膜转速在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了单层膜厚不同的钙锶铋钛钕(C0.4S0.6NT)铁电薄膜。研究了单层膜厚对于C0.4S0.6NT铁电薄膜的结构及性能的影响。研究结果表明:适当的单层膜厚有利于薄膜在(200)方向的择优取向,有利于薄膜的铁电性能。单层膜厚为60nm时,C0.4S0.6NT薄膜具有优良的铁电性能,2Pr和2Ec分别为24.155μC/cm^2、148.412kV/cm,具有较高的应用价值。