【摘 要】
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在研发一套基于0．18μm工艺的全新半导体芯片时，由于芯片工艺的要求我们将标准0．18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN＋SION改为SIN，但却引进了PID（等离子体损伤）的问题
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在研发一套基于0．18μm工艺的全新半导体芯片时，由于芯片工艺的要求我们将标准0．18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN＋SION改为SIN，但却引进了PID（等离子体损伤）的问题。当芯片的关键尺寸减小到0．18μm时，栅氧化层变得更薄，对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变，于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤，
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