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介绍了一种制作在普通体硅上的CMOS FinFET。除了拥有和原来SOI上FinFET类似的FinFET结构,器件本身在硅衬底中还存在一个凹槽平面MOSFET,同时该器件结构与传统的CMOS工艺完全相容,并应用了自对准硅化物工艺。实验中制作了多种实用该结构的CMOS单管以及CMOS反相器、环振电路,并包括常规的多晶硅和W/TiN金属两种栅电极。分析了实际栅长为110nm的硅基CMOS FinFET的驱动电流和亚阈值特性。反相器能正常工作并且在Vd=3V下201级CMOS环振的最小延迟为146ps/门,