7360相关论文
采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法，建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型，模型中重点考......
利用室温下反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了HfO2栅介质层，研究了HfO2高k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流(SILC)......
