2560B相关论文
提出了一种改进的遗传算法，应用于提取GaAsMESFET小信号等效电路参数．改进的算法采用浮点编码连续突变，多种遗传操作合作运行，并应用子......
在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个HBT并联时，常常出现电流坍塌的问题．研究了发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT直流及高频......
采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法，建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型，模型中重点考......
