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利用V80型MBE生长GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)结构.测试结果表明,该结构晶格和光学质量符合设计要求.制成激光器列阵,室温连续输出功率达7.2W,峰值波长为807~809nm,经柱透镜光纤耦合后的光强远场分布为θ∥=8°,θ⊥=3.5°.