光电压光谱法测定磷砷化镓外延层的组成(二)

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:richardwang_wjw
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1975年,我们建立了光电压光谱测定磷砷化镓外延层组成的方法,报告了它的原理,实验装置及数据处理的方法.本文对实验条件作了标准化规定,改进了定标方法,从而消除了结果计算的校正值.方法的准确度和重现性可提高到△x=±0.005克分子分数. In 1975, we established a method to determine the composition of GaP epitaxial layer by photoelectron spectroscopy, and reported its principle, experimental apparatus and data processing methods.In this paper, we standardized the experimental conditions and improved the calibration method Elimination of the result of the calculation of the correction value. The accuracy and reproducibility of the method can be increased to △ x = ± 0.005 molecular fraction.
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