【摘 要】
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<正> 美国佐治亚理工学院的王中林教授等三位中国科学家在世界上首次发现并合成半导体氧化物纳米带状结构,这是纳米材料合成领域的又一重大突破。王中林教授等人利用高温固体
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<正> 美国佐治亚理工学院的王中林教授等三位中国科学家在世界上首次发现并合成半导体氧化物纳米带状结构,这是纳米材料合成领域的又一重大突破。王中林教授等人利用高温固体气相法,成功合成了氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镉和氧化镓等宽带半导体体系的带状结构。这些带状结构纯度高、产量大、结构完美、表面干净,并且
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