W-SiO_2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析

来源 :硅酸盐学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lingang89029
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氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术,本研究提出了以W为导电材料,SiO2为添加剂配制的导体桨料,获得了SiO2的质量分数在0.45%时,烧结应力减弱到充分小,使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度,导带方阻达到10mΩ/□,基板的翘曲度在50mm中小于50μm,导带焊盘的健合强度大于29.4MPa。
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