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氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中, 共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术. 本研究提出了以W为导电材料,SiO2为......
氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中，共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术，本研究提出了以W为导电材料，SiO2为添加......
研究了在AlN多层布线共烧基板中,W-SiO2浆料体系中SiO2含量对共烧基板烧结性能的影响.结果表明SiO2的质量分数在0.45%时,AlN多层布......
