【摘 要】
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本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(～16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、TEM(横截面)、SEM、四探针等分析测试手段,详细
【机 构】
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北京大学微电子学研究所,北京大学微电子学研究所,北京大学微电子学研究所,北京大学微电子学研究所,北京大学微电子学研究所,北京市透射电子显微镜实验室
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本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(～16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、TEM(横截面)、SEM、四探针等分析测试手段,详细研究了Co和Si、SiO_2之间的反应,CoSi_2薄膜的电学特性及CoSi_2/Si,CoSi_2,SiO_2界面形貌。结果表明,CoSi_2是除TiSi_2外另一个可用于MOS自对准技术的硅化物。
In this paper, two methods, furnace annealing and rapid annealing (RTA), were used to make Co and Si thermally react to produce CoSi2 films with relatively flat interface and low resistivity (~ 16μΩ · cm). The reaction between Co and Si and SiO_2, the electrical properties of CoSi_2 thin films and the morphology of CoSi_2 / Si, CoSi_2 and SiO_2 were studied in detail by means of XRD, AES, TEM (cross section), SEM and four probes. . The results show that CoSi_2 is another silicide that can be used for MOS self-alignment technology except TiSi_2.
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