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本文采用DLTS及光电容技术对n型未掺LEC-GaAs材料中的深中心进行了研究.通过对E_5能级阈值附近光电离截面谱的温度效应的分析,提出了此能级向导带的电子发射存在两步光热激发过程的模型,算出激发态位于导带下23meV处.用多声子过程解释了E,能级光阈值能小于热激活能的现象.
n型LEC—GaAs中E5能级的研究
【摘 要】
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本文采用DLTS及光电容技术对n型未掺LEC-GaAs材料中的深中心进行了研究.通过对E_5能级阈值附近光电离截面谱的温度效应的分析,提出了此能级向导带的电子发射存在两步光热激发
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所北京,北京,北京
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1989年6期
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