只读存储器的“可控硅效应”及防止措施

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目前市场上的一些2716芯片(如马来西亚、南朝鲜等东南亚产品)在固化时会发生“功率击穿”现象,即在写入固化过程中出现“可控硅效应”。一通电,写入电流(电源电压为+25V)高达400mA 左右,致使2716芯片已烧坏。一般在正常情况下写入前电流只有1~2mA,在写入过程中也只有10mA 左右。为什么会发生 Some 2716 chips currently on the market (such as Malaysia, South Korea and other Southeast Asian products) in the curing occurs when the “power breakdown” phenomenon, that is written in the curing process, “SCR effect.” A power, write current (supply voltage of +25 V) up to 400mA, resulting in 2716 chip has been burned. Under normal circumstances, generally only 1 ~ 2mA before writing, only 10mA in the writing process. Why did it happen?
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