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随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小，绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄，由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重。传统的Si02栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要，而利用高介电常数栅介质（高后）取代SiO2已成为必然趋势。而在前栅工艺下，SiO2界面层生长问题严重制约了EOT的缩小以及器件性能的提升。介绍了一种前栅工艺下的高k／金属栅结构CMOS器件EOT控制技术，并成功验证了Al元素对SiO2界面层的氧吸除作用。