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HgCdTe外延薄膜材料中的缺陷是制约高性能红外焦平面器件发展的主要因素。对缺陷的研究与评价是材料生长以至器件制备过程中不可或缺的重要一环。本文详细介绍了HgCdTe外延材料中几种主要缺陷的研究进展。
HgCdTe薄膜材料缺陷的研究现状
【摘 要】
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HgCdTe外延薄膜材料中的缺陷是制约高性能红外焦平面器件发展的主要因素。对缺陷的研究与评价是材料生长以至器件制备过程中不可或缺的重要一环。本文详细介绍了HgCdTe外延材
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所
【出 处】
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红外
【发表日期】
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2006年8期
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